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北京天科合达半导体股份有限公司成立于 2006 年 9 月，是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业。公司为全球 SiC 晶片的主要生产商之一。公司总部设在北京市大兴区，目前拥有北京总部基地、北京研发中心和三家全资子公司，一家控股子公司，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备。

天科合达先后申请专利 60 余项，已获授权专利 40 余项；参与起草并正式发布国家标准 4 项，行业标准 1 项，团体标准 8 项。公司立足于自主研发，坚持产业创新，打破了国外企业的技术垄断。公司在导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一，2021 年跃居世界前四。

作为碳化硅衬底国内的龙头企业，天科合达从 2020 年开始开展 8 英寸导电型 SiC 单晶衬底的研发工作，经过 2 年多艰苦卓绝的技术攻关，突破了 8 英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题，成功制备出高品质 8 英寸导电型 SiC 单晶衬底。据天科合达相关负责人介绍，公司目前产能正在不断突破，北京二期和徐州二期也在进一步规划中，预计 2025 年底，6 英寸有效年产能达到 55 万片，6 到 8 英寸，可根据实际需求进行快速产能切换，今后公司的国际竞争力和品牌影响力会进一步增强。

根据报告，天科合达 8 英寸导电型碳化硅产品的多项指标均处于行业内领先水平，已经达到了量产标准，计划 2023 年进行小批量生产。

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